| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| APT11F80B | Microsemi Power Products Group | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | APT11F80B Microsemi Power Products Group | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Microsemi Corporation MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 337W（Tc） TO-247 [B] 型号：APT11F80B 仓库库存编号：APT11F80B-ND | | 搜索 |
PDF查询| 标准包装 ： | 30 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 900 毫欧 @ 6A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 80nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 2471pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 337W |
| 安装类型 ： | 通孔 |
| 封装/外壳 ： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装 ： | TO-247 [B] |
| 包装 ： | 管件 |
