型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
APT10045JLL 库存编号:494-APT10045JLL | Microchip Technology Inc | MOSFET Modules MOSFET MOS7 1000 V 45 Ohm SOT-227 | 184 1起订 | 1+ 100+ | ¥544.7 ¥470.37 | 6-10天 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
APT10045JLL | Microchip Technology Inc | RoHS: Compliant | 0 1起订 | 1+ 5+ 10+ 25+ 50+ 100+ 250+ | ¥565.81 ¥520.04 ¥506.28 ¥493.3 ¥475.04 ¥467.97 ¥460.9 | 1-2周 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
APT10045JLL 库存编号:APT10045JLL | Microchip Technology Inc | Trans MOSFET N-CH 1KV 21A 4-Pin SOT-227 - Rail/Tube (Alt: APT10045JLL) | 0 20起订 | 20+ 30+ 50+ 100+ 200+ | ¥484.45 ¥476.76 ¥469.06 ¥461.37 ¥453.67 | 1-2周 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
APT10045JLL 库存编号:APT10045JLL | Microchip Technology Inc | MOSFET MOS 7 1000 V 450 mOhmSOT-227, SOT-227, Projected EOL: 2044-04-30 | 0 1起订 | 1+ 100+ 250+ 500+ 1000+ 5000+ | ¥633.03 ¥546.64 ¥526.32 ¥513.95 ¥501.59 ¥485.11 | 1-3周 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
APT10045JLL 库存编号:APT10045JLL | Microchip Technology Inc | Module, single transistor, 1kV, 21A, ISOTOP, screw, Idm: 84A, 460W | 0 1起订 | 1+ 3+ 10+ | ¥952.53 ¥857.19 ¥757.42 | 1-3周 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
APT10045JLL [更多] | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
APT10045JLL [更多] | Microsemi Corporation | Discrete Semiconductor Modules Power MOSFET - MOS7 RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
APT10045JLL [更多] | Microsemi Corporation | 1000V 21A 0.45 Ohm N-ch SOT-227 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
APT10045JLL | Microsemi Power Products Group | MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
![]() | Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227 详细描述:底座安装 N 沟道 21A(Tc) 460W(Tc) ISOTOP? 型号:APT10045JLL 仓库库存编号:APT10045JLL-ND | 无铅 | 搜索 |
标准包装 : | 10 |
系列 : | POWER MOS 7® |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 1000V (1kV) |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 21A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 450 毫欧 @ 11.5A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 5V @ 2.5mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 154nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 4350pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 460W |
安装类型 : | 底座安装 |
封装/外壳 : | SOT-227-4,miniBLOC |
供应商设备封装 : | ISOTOP® |
包装 : | 管件 |