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PDF查询| 标准包装 ： | 10 |
| 系列 ： | POWER MOS V® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 1000V (1kV) |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 22A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 430 毫欧 @ 500mA, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 480nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 9000pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 500W |
| 安装类型 ： | 底座安装 |
| 封装/外壳 ： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装 ： | ISOTOP® |
| 包装 ： | 管件 |
