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半导体模块 - FET - Microsemi Power Products Group - APL602J - MOSFET N-CH 600V 43A SOT-227
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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APL602J
库存编号:APL602J-ND		 Microchip Technology Inc MOSFET N-CH 600V 43A ISOTOP0
10起订		10+
￥782.68
6-10天询价 询价
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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APL602J
库存编号:494-APL602J		 Microchip Technology Inc MOSFET Modules MOSFET Linear 600 V 49 A TO-2640
1起订		1+
100+
￥742.54
￥641.26
6-10天询价 询价
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APL602J Microchip Technology Inc Trans MOSFET N-CH 600V 43A 4-Pin SOT-227 Tube0
1起订		1+
5+
10+
25+
50+
￥771.38
￥708.9
￥690.13
￥647.57
￥637.8
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APL602J
库存编号:APL602J		 Microchip Technology Inc Linear MOSFET N-Channel 600V 43A SOT-227 - Rail/Tube (Alt: APL602J)0
10起订		10+
20+
30+
50+
100+
￥660.39
￥649.9
￥639.41
￥628.92
￥618.43
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(含税)		 货期
(工作日)		 操作
APL602J
库存编号:APL602J		 Microchip Technology Inc MOSFET Linear 600 V 43 A SOT-227, SOT-227, Projected EOL: 2044-04-300
1起订		1+
100+
250+
500+
1000+
5000+
￥862.95
￥745.25
￥717.23
￥700.47
￥683.71
￥661.19
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
APL602J
库存编号:APL602J		 Microchip Technology Inc Module, single transistor, 600V, 43A, ISOTOP, screw, Idm: 172A, 565W0
1起订		1+
3+
10+
￥1844.88
￥1669.21
￥1467.1
1-3周询价 询价
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型号 制造商 描述 操作
APL602J
[更多]		 Microsemi Corporation

MOSFET N-CH 600V 43A SOT-227

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
APL602J
[更多]		 Microsemi Corporation

Discrete Semiconductor Modules Power MOSFET - Linear

RoHS: Compliant

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无图APL602J
Microsemi Power Products Group		MOSFET N-CH 600V 43A SOT-227
Rohs

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无图APL602J
Microsemi Power Products Group		MOSFET N-CH 600V 43A SOT-227
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Microsemi Corporation - APL602J - MOSFET N-CH 600V 43A SOT-227		Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 43A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 43A（Tc） 565W（Tc） ISOTOP?

型号：APL602J
仓库库存编号：APL602J-ND

无铅		搜索
无图
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
APL602J
制造商型号： APL602J
制造商： Microsemi Power Products Group
描述： MOSFET N-CH 600V 43A SOT-227
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
详细参数
标准包装 ： 10
系列 ： -
FET 型 ： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 ： 标准型
漏极至源极电压(Vdss) ： 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： 43A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： 125 毫欧 @ 21.5A, 12V
Id 时的 Vgs(th)（最大） ： 4V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs ： -
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： 9000pF @ 25V
功率 - 最大 ： 565W
安装类型 ： 底座安装
封装/外壳 ： SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装 ： ISOTOP®
包装 ： 管件

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