标准包装 : | 1,000 |
系列 : | aMOS™ |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 标准型 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 99 毫欧 @ 21A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) : | 600V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 42A |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 3.8V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 40nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 2150pF @ 100V |
功率 - 最大 : | 37.9W |
安装类型 : | 通孔 |
封装/外壳 : | TO-220-3 整包 |
供应商设备封装 : | TO-220F |
包装 : | 管件 |