PDF查询| 标准包装 ： | 25 |
| 系列 ： | EPAD® |
| FET 型 ： | 4 N 通道（半桥） |
| FET 特点 ： | 耗尽模式 |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 540 欧姆 @ 0V |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 10.6V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 12mA |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 3.45V @ 1µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | - |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | - |
| 功率 - 最大 ： | 500mW |
| 安装类型 ： | 通孔 |
| 封装/外壳 ： | 16-DIP（0.300", 7.62mm） |
| 供应商设备封装 ： | 16-PDIP |
| 包装 ： | 管件 |
