标准包装 : | 25 |
系列 : | EPAD® |
FET 型 : | 4 N 通道(半桥) |
FET 特点 : | 标准型 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 500 欧姆 @ 4.8V |
漏极至源极电压(Vdss) : | 10.6V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 12mA |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 820mV @ 1µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | - |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | - |
功率 - 最大 : | 500mW |
安装类型 : | 通孔 |
封装/外壳 : | 16-DIP(0.300", 7.62mm) |
供应商设备封装 : | 16-PDIP |
包装 : | 管件 |