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分离式半导体 - MOSFETs - 阵列 - Advanced Linear Devices Inc - ALD1101PAL - MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8PDIP
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Advanced Linear Devices Inc

MOSFET Dual N-Channel Pair

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Advanced Linear Devices Inc. - ALD1101PAL - MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP

型号:ALD1101PAL
仓库库存编号:1014-1002-ND
别名:1014-1002 <br>

无铅
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ALD1101PAL|Advanced Linear Devices Inc
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
ALD1101PAL
制造商型号: ALD1101PAL
制造商: Advanced Linear Devices Inc
描述: MOSFET 2N-CH 13.2V 40MA 8PDIP
技术参考: Rohs PDF查询
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备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
产品目录绘图 : 8-Pin Plastic Dip Package
标准包装 : 50
系列 : -
FET 型 : 2 个 N 沟道(双)
FET 特点 : 标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 75 欧姆 @ 5V
漏极至源极电压(Vdss) : 13.2V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 40mA
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 1V @ 10µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : -
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : -
功率 - 最大 : 500mW
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : 8-DIP(0.300", 7.62mm)
供应商设备封装 : 8-PDIP
包装 : 管件

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