标准包装 : | 1 |
系列 : | - |
FET 型 : | 4 N 通道(半桥) |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 300 毫欧 @ 1.8A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) : | 60V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 1.4A |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 3.2nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 166pF @ 40V |
功率 - 最大 : | 1.1W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | SOT-223-8 |
供应商设备封装 : | SM8 |
包装 : | 剪切带 (CT) |