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分离式半导体 - MOSFETs - 阵列 - Diodes Inc - ZXMHC6A07N8TC - MOSFET COMPL H-BRIDGE 60V 8-SOIC
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ZXMHC6A07N8TC|Diodes Inc
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
ZXMHC6A07N8TC
制造商型号: ZXMHC6A07N8TC
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET COMPL H-BRIDGE 60V 8-SOIC
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 1
系列 : -
FET 型 : 2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥式)
FET 特点 : 逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 250 毫欧 @ 1.8A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) : 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 1.39A, 1.28A
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 3.2nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 166pF @ 40V
功率 - 最大 : 870mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽)
供应商设备封装 : 8-SOP
包装 : 剪切带 (CT)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: ZXMHC6A07N8TC
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