PDF查询| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥式） |
| FET 特点 ： | Standard |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 700 毫欧 @ 1.5A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 1A, 800mA |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 2.9nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 138pF @ 60V |
| 功率 - 最大 ： | 1.3W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | SOT-223-8 |
| 供应商设备封装 ： | SM8 |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
