标准包装 : | 2,000 |
系列 : | - |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 350V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 90mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 40 欧姆 @ 100mA, 5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 1.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | - |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 70pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 700mW |
安装类型 : | 通孔 |
封装/外壳 : | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
供应商设备封装 : | TO-92-3 |
包装 : | 散装 |