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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Renesas Electronics America - 2SK1058-E - MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
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2SK1058-E
库存编号:2SK1058-E-ND		 Renesas Electronics Corporation MOSFET N-CH 160V 7A TO3P0
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2SK1058-E
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MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P

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MOSFET Power MOSFET

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET N-CH 160V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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Renesas Electronics America		MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
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Renesas Electronics America - 2SK1058-E - MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P		Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 160V 7A（Ta） 100W（Tc） TO-3P

型号：2SK1058-E
仓库库存编号：2SK1058-E-ND

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2SK1058-E|Renesas Electronics America
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
2SK1058-E
制造商型号： 2SK1058-E
制造商： Renesas Electronics America
描述： MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
详细参数
标准包装 ： 1
系列 ： -
FET 型 ： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 ： 标准型
漏极至源极电压(Vdss) ： 160V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： 7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： -
Id 时的 Vgs(th)（最大） ： -
闸电荷(Qg) @ Vgs ： -
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： 600pF @ 10V
功率 - 最大 ： 100W
安装类型 ： 通孔
封装/外壳 ： TO-3P-3, SC-65-3
供应商设备封装 ： TO-3P
包装 ： 管件

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