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2SJ661-DL-E
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onsemi MOSFET P-CH 60V 38A SMP-FD0
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2SJ661-DL-E
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ON Semiconductor

MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES

RoHS: Compliant

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ON Semiconductor - 2SJ661-DL-E - MOSFET P-CH 60V 38A SMP-FD
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 38A SMP-FD

详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 38A(Ta) 1.65W(Ta),65W(Tc) SMP-FD

型号:2SJ661-DL-E
仓库库存编号:2SJ661-DL-E-ND
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2SJ661-DL-E|ON Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
2SJ661-DL-E
制造商型号: 2SJ661-DL-E
制造商: ON Semiconductor
描述: MOSFET P-CH 4V DRIVE SERIES SMP
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
标准包装 : 1,000
系列 : -
FET 型 : MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 38A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 39 mOhm @ 19A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 2.6V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 80nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 4360pF @ 20V
功率 - 最大 : 1.65W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : *
供应商设备封装 : SMP
包装 : *

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