标准包装 : | 1 |
系列 : | - |
电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0) : | 600µA @ 10V |
漏极至源极电压(Vdss) : | - |
漏极电流 (Id) - 最大 : | 20mA |
FET 型 : | P 沟道 |
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) : | - |
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id : | 1.5V @ 10µA |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 10pF @ 10V |
电阻 - RDS(开) : | 300 欧姆 |
安装类型 : | 通孔 |
包装 : | 剪切带 (CT) |
封装/外壳 : | 3-SIP |
供应商设备封装 : | NS-A1 |
功率 - 最大 : | 300mW |