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半导体模块 - FET - IXYS - VMO580-02F - MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
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VMO580-02F|IXYS
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VMO580-02F
制造商型号: VMO580-02F
制造商: IXYS
描述: MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 2
系列 : HiPerFET™
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
漏极至源极电压(Vdss) : 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 580A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 3.8 毫欧 @ 430A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 4V @ 50mA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 2750nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : -
功率 - 最大 : -
安装类型 : 底座安装
封装/外壳 : Y3-Li
供应商设备封装 : Y3-Li
包装 : 散装

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: VMO580-02F
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