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分离式半导体 - MOSFETs - 阵列 - Infineon Technologies - 2N7002DW L6327 - MOSFET 2N-CH 60V 300MA SOT363
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2N7002DW L6327|Infineon Technologies
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
2N7002DW L6327
制造商型号: 2N7002DW L6327
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET 2N-CH 60V 300MA SOT363
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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详细参数
标准包装 : 3,000
系列 : OptiMOS™
FET 型 : 2 个 N 沟道(双)
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 300mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 3 欧姆 @ 500mA, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 0.6nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 20pF @ 25V
功率 - 最大 : 500mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商设备封装 : PG-SOT363-6
包装 : 带卷 (TR)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: 2N7002DW L6327
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