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| 2N7002 L6327 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-23-3 RoHS: Compliant | 搜索 |
| 2N7002DW L6327 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6 RoHS: Compliant | 搜索 |
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| 2N7002 L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 300mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3 型号：2N7002 L6327 仓库库存编号：2N7002 L6327-ND 别名：2N7002L6327HTSA1 <br>SP000408440 <br> | | 搜索 |
PDF查询| 标准包装 ： | 3,000 |
| 系列 ： | OptiMOS™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 300mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 3 欧姆 @ 500mA, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 0.6nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 20pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 500mW |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 ： | PG-SOT23-3 |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
