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分离式半导体 - MOSFETs - 阵列 - Fairchild Semiconductor - USB10H - MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT6
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USB10H
库存编号:USB10H-ND
onsemi MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT60
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ON Semiconductor

MOSFET 20V Dual P-Channel

RoHS: Compliant

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Fairchild Semiconductor Corporation  

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Fairchild Semiconductor
MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT6
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Fairchild/ON Semiconductor - USB10H - MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6

详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.9A 700mW Surface Mount SuperSOT?-6

型号:USB10H
仓库库存编号:USB10H-ND
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USB10H|Fairchild SemiconductorUSB10H
Fairchild Semiconductor
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USB10H|Fairchild Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
USB10H
制造商型号: USB10H
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT6
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
标准包装 : 3,000
系列 : -
FET 型 : 2 个 P 沟道(双)
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 1.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 170 毫欧 @ 1.9A, 4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 4.2nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 441pF @ 10V
功率 - 最大 : 700mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : SOT-23-6 细型, TSOT-23-6
供应商设备封装 : 6-SSOT
包装 : 带卷 (TR)

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