产品目录绘图 : | TUMT-6 Package Top |
标准包装 : | 1 |
系列 : | - |
FET 型 : | 2 个 P 沟道(双) |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 390 毫欧 @ 1A, 4.5V |
漏极至源极电压(Vdss) : | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 1A |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 2V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 2.1nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 150pF @ 10V |
功率 - 最大 : | 1W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | TUMT6 |
供应商设备封装 : | TUMT6 |
包装 : | 剪切带 (CT) |
工具箱 : | 846-1003-KIT-ND - KIT MOSFET 5EA OF 16 VALUES |