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分离式半导体 - 单路﹐数字式 - Panasonic - SSG - UNR5117G0L - TRANS PNP W/RES 160HFE SMINI
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Panasonic Electronic Components

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

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Panasonic Electronic Components - UNR5117G0L - TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
Panasonic Electronic Components
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount SMini3-F2

型号:UNR5117G0L
仓库库存编号:UNR5117G0LCT-ND
别名:UNR5117G0LCT <br>
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UNR5117G0L|Panasonic - SSG
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
UNR5117G0L
制造商型号: UNR5117G0L
制造商: Panasonic - SSG
描述: TRANS PNP W/RES 160HFE SMINI
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
产品目录绘图 : PNP, NPN S-Mini Type
标准包装 : 1
系列 : -
晶体管类型 : PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大) : 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) : 50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧) : 22K
电阻器 - 发射极 (R2)(欧) : -
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) : 160 @ 5mA, 10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) : 250mV @ 300µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大) : 500nA
频率 - 转换 : 80MHz
功率 - 最大 : 150mW
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : SC-85
供应商设备封装 : S迷你型3-F2
包装 : 剪切带 (CT)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: UNR5117G0L
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