| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| TPS1100D [更多] | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| TPS1100DG4 [更多] | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| TPS1100D [更多] | Texas Instruments | MOSFET MOSFET 10ns RT RoHS: Compliant | 搜索 |
| TPS1100DR [更多] | Texas Instruments | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET RoHS: Compliant | 搜索 |
| TPS1100DG4 [更多] | Texas Instruments | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET RoHS: Compliant | 搜索 |
| TPS1100DRG4 [更多] | Texas Instruments | MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| TPS1100D [更多] | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube - Rail/Tube (Alt: TPS1100D) RoHS: Compliant | 搜索 |
| TPS1100D [更多] | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube (Alt: TPS1100D) RoHS: Compliant | 搜索 |
| TPS1100DR [更多] | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-Pin SOIC T/R (Alt: TPS1100DR) RoHS: Compliant | 搜索 |
| TPS1100DR [更多] | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-Pin SOIC T/R - Tape and Reel (Alt: TPS1100DR) RoHS: Compliant | 搜索 |
| TPS1100DR [更多] | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-Pin SOIC T/R (Alt: TPS1100DR) RoHS: Compliant | 搜索 |
| TPS1100DG4 [更多] | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-Pin SOIC Tube - Rail/Tube (Alt: TPS1100DG4) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| TPS1100D | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Texas Instruments MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC 详细描述：表面贴装 P 沟道 1.6A（Ta） 791mW（Ta） 8-SOIC 型号：TPS1100D 仓库库存编号：296-3379-5-ND 别名：296-3379-5 <br> |  | 搜索 |
 | Texas Instruments MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC 详细描述：表面贴装 P 沟道 15V 1.6A（Ta） 791mW（Ta） 8-SOIC 型号：TPS1100DR 仓库库存编号：TPS1100DR-ND 别名：TPS1100DRG4 <br>TPS1100DRG4-ND <br> | | 搜索 |
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PDF查询| 标准包装 ： | 75 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 180 毫欧 @ 1.5A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 15V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 1.6A |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 5.45nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | - |
| 功率 - 最大 ： | 791mW |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽) |
| 供应商设备封装 ： | 8-SOIC |
| 包装 ： | 管件 |
