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分离式半导体 - JFET 结点场效应 - ON Semiconductor - TF202THC-5-TL-H - IC JFET N-CH ELECTRET COND VTFP
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TF202THC-5-TL-H|ON Semiconductor
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
TF202THC-5-TL-H
制造商型号: TF202THC-5-TL-H
制造商: ON Semiconductor
描述: IC JFET N-CH ELECTRET COND VTFP
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 8,000
系列 : -
电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0) : 210µA @ 5V
漏极至源极电压(Vdss) : -
漏极电流 (Id) - 最大 : 1mA
FET 型 : N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) : -
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id : 200mV @ 1µA
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 3.5pF @ 5V
电阻 - RDS(开) : -
安装类型 : 表面贴装
包装 : 带卷 (TR)
封装/外壳 : 3-SMD, SOT-23-3 变式
供应商设备封装 : *
功率 - 最大 : 100mW

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