产品目录绘图 : | SUB, SUM Series |
标准包装 : | 1 |
系列 : | TrenchFET® |
FET 型 : | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | Standard |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 11.2 毫欧 @ 20A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) : | 80V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 110A |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 270nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 10850pF @ 40V |
功率 - 最大 : | 375W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
供应商设备封装 : | TO-263 (D2Pak) |
包装 : | 剪切带 (CT) |