型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SUD50N06-07L-GE3 库存编号:SUD50N06-07L-GE3DKR-ND | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 96A TO252 | 0 1起订 | 1+ | ¥39.37 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
SUD50N06-07L-GE3 库存编号:SUD50N06-07L-GE3CT-ND | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 96A TO252 | 0 1起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 | ||
SUD50N06-07L-GE3 库存编号:SUD50N06-07L-GE3TR-ND | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 96A TO252 | 0 1起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
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SUD50N06-07L-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C RoHS: Compliant | 搜索 |
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SUD50N06-07L-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V DPAK | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 96A DPAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 96A(Tc) 136W(Tc) TO-252,(D-Pak) 型号:SUD50N06-07L-GE3 仓库库存编号:SUD50N06-07L-GE3CT-ND 别名:SUD50N06-07L-GE3CT <br> | 无铅 | 搜索 |
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SUD50N06-07L-GE3![]() | 2056702 | VISHAY 晶体管, MOSFET, N沟道, 96 A, 60 V, 0.0061 ohm, 10 V, 1 V ![]() | 搜索 |
标准包装 : | 1 |
系列 : | TrenchFET® |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 60V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 96A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 7.4 毫欧 @ 20A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 144nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 5800pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 136W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
供应商设备封装 : | TO-252, (D-Pak) |
包装 : | 剪切带 (CT) |