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| SUD50N04-16P-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 40V 20A 35.7W 16mohm @ 10V RoHS: Compliant | 搜索 |
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 | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 9.8A TO252 详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 9.8A（Ta），20A（Tc） 3.1W（Ta），35.7W（Tc） TO-252，（D-Pak） 型号：SUD50N04-16P-E3 仓库库存编号：SUD50N04-16P-E3-ND | | 搜索 |
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PDF查询| 标准包装 ： | 2,000 |
| 系列 ： | TrenchFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 9.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 16 毫欧 @ 15A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 60nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 1655pF @ 20V |
| 功率 - 最大 ： | 3.1W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
| 供应商设备封装 ： | TO-252, (D-Pak) |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
