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分离式半导体 - MOSFET - 单 - STMicroelectronics - STW12NK60Z - MOSFET N-CH 600V 10A TO-247
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STW12NK60Z
库存编号:497-10995-5-ND
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 10A TO247-30
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STW12NK60Z
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STMicroelectronics

MOSFET N-channel 650 V 0.53 ohm 10A

RoHS: Compliant

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STW12NK60Z|STMicroelectronicsSTW12NK60Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO-247
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STMicroelectronics - STW12NK60Z - MOSFET N-CH 600V 10A TO-247
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO-247

详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3

型号:STW12NK60Z
仓库库存编号:497-10995-5-ND
别名:497-10995-5 <br>STW12NK60Z-ND <br>

无铅
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声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STW12NK60Z
制造商型号: STW12NK60Z
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-CH 600V 10A TO-247
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
标准包装 : 30
系列 : SuperMESH™
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
漏极至源极电压(Vdss) : 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 10A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 640 毫欧 @ 5A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 4.5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 59nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 1740pF @ 25V
功率 - 最大 : 150W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-247-3
供应商设备封装 : TO-247-3
包装 : 管件

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