标准包装 : | 1 |
系列 : | SuperMESH3™ |
FET 型 : | 2 个 N 沟道(双) |
FET 特点 : | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 450V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 500mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 3.8 欧姆 @ 500mA, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 4.5V @ 50µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 6nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 150pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 1.3W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽) |
供应商设备封装 : | 8-SO |
包装 : | 剪切带 (CT) |