标准包装 : | 1 |
系列 : | STripFET™ DeepGATE™ |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 11A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 7.5 毫欧 @ 5.5A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 17nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 1690pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 50W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 8-PowerVDFN |
供应商设备封装 : | PowerFlat™ (3.3x3.3) |
包装 : | 剪切带 (CT) |