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分离式半导体 - MOSFET - 单 - STMicroelectronics - STD75N3LLH6 - MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
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STD75N3LLH6
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 75A DPAK0
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STD75N3LLH6 STMicroelectronics  
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MOSFET N-channel 30 V MDmesh STRIPFET IV

RoHS: Compliant

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MOSFET, N CH, 30V, 75A, DPAK

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STMicroelectronics - STD75N3LLH6 - MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 75A DPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 60W(Tc) DPAK

型号:STD75N3LLH6
仓库库存编号:497-10119-1-ND
别名:497-10119-1 <br>
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STD75N3LLH6|STMicroelectronicsSTD75N3LLH6
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无图STD75N3LLH6-BKN
ST
Trans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin (2+Tab) DPAK T/R
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STD75N3LLH6|STMicroelectronics
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STD75N3LLH6
制造商型号: STD75N3LLH6
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 1
系列 : STripFET™ DeepGATE™
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 75A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 5.5 毫欧 @ 37.5A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 17nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 1690pF @ 25V
功率 - 最大 : 60W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
供应商设备封装 : D-Pak
包装 : 剪切带 (CT)

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