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STD18N55M5 | 2098164 | STMICROELECTRONICS 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V  (EN) | 搜索 |
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PDF查询| 产品培训模块 ： | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | MDmesh™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 550V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 240 毫欧 @ 6.5A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 31nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 1352pF @ 100V |
| 功率 - 最大 ： | 90W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
| 供应商设备封装 ： | D-Pak |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
