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 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 40V 80A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） DPAK 型号：STD120N4LF6 仓库库存编号：497-11097-1-ND 别名：497-11097-1 <br> | | 搜索 |
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PDF查询| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | STripFET™ DeepGATE™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 4 毫欧 @ 40A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 80nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 4300pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 110W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
| 供应商设备封装 ： | D-Pak |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
