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分离式半导体 - MOSFET - 单 - STMicroelectronics - STD11NM60N-1 - MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
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STD11NM60N-1|STMicroelectronics
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STD11NM60N-1
制造商型号: STD11NM60N-1
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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详细参数
产品目录绘图 : ST Series IPAK, TO251
标准包装 : 75
系列 : MDmesh™
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
漏极至源极电压(Vdss) : 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 10A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 450 毫欧 @ 5A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 31nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 850pF @ 50V
功率 - 最大 : 90W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
供应商设备封装 : I-Pak
包装 : 管件

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: STD11NM60N-1
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