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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Vishay Siliconix - SQD23N06-31L-GE3 - MOSFET N-CH D-S 60V TO252
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型号 制造商 描述 操作
SQD23N06-31L_GE3
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 23A TO252

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
SQD23N06-31L_GE3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 60V 23A 100W AEC-Q101 Qualified

RoHS: Compliant

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SQD23N06-31L-GE3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 60V 23A 100W 31mohm @ 10V

RoHS: Compliant

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SQD23N06-31L_GE3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Tape and Reel (Alt: SQD23N06-31L_GE3)

RoHS: Compliant

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SQD23N06-31L_GE3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Tape and Reel (Alt: SQD23N06-31L-GE3)

RoHS: Not Compliant

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SQD23N06-31L-GE3
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Vishay Intertechnologies

SQD23N06 Series 60 V 23 A 31 mOhm Surface Mount N-Channel MOSFET - TO-252-3

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SQD23N06-31L-GE3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 60V 23A 100W 31mohm @ 10V

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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SQD23N06-31L-GE3
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Vishay Intertechnologies  

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SQD23N06-31L-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 60V TO252 查看库存、价格及货期
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SQD23N06-31L-GE3|Vishay SiliconixSQD23N06-31L-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH D-S 60V TO252
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SQD23N06-31L-GE3|VISHAY SILICONIXSQD23N06-31L-GE3
VISHAY SILICONIX
MOSFET N-CH D-S 60V TO252
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Vishay Siliconix - SQD23N06-31L_GE3 - MOSFET N-CH 60V 23A TO252
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 23A TO252

详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 23A(Tc) 37W(Tc) TO-252,(D-Pak)

型号:SQD23N06-31L_GE3
仓库库存编号:SQD23N06-31L_GE3-ND
别名:SQD23N06-31L-GE3 <br>SQD23N06-31L-GE3-ND <br>

无铅
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SQD23N06-31L-GE3
VISHAY SQD23N06-31L-GE3
1869906

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 60 V, 0.024 ohm, 10 V, 2 V

(EN)
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Vishay - SQD23N06-31L_GE3 - Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD23N06-31L_GE3, 23 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装

制造商零件编号:
SQD23N06-31L_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9487
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SQD23N06-31L-GE3|Vishay Siliconix
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SQD23N06-31L-GE3
制造商型号: SQD23N06-31L-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET N-CH D-S 60V TO252
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 2,000
系列 : TrenchFET®
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
漏极至源极电压(Vdss) : 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 23A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 31 毫欧 @ 15A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 24nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 845pF @ 25V
功率 - 最大 : 37W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
供应商设备封装 : TO-252, (D-Pak)
包装 : 带卷 (TR)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: SQD23N06-31L-GE3
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