产品目录绘图 : | Mosfets TO-263 |
标准包装 : | 1 |
系列 : | SIPMOS® |
FET 型 : | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 标准型 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 130 毫欧 @ 13.2A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) : | 60V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 18.7A |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 4V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 28nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 860pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 81.1W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
供应商设备封装 : | PG-TO263-2 |
包装 : | 剪切带 (CT) |