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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Infineon Technologies - SPB100N03S2L-03 - MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
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SPB100N03S2L-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK 查看库存、价格及货期
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SPB100N03S2L-03|Infineon TechnologiesSPB100N03S2L-03
Infineon Technologies		MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
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SPB100N03S2L-03 G|Infineon TechnologiesSPB100N03S2L-03 G
Infineon Technologies		MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
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无图SPB100N03S2L-03G
Infineon Technologies		MOSFET TRAN MOSFET N-CH 30V 100A 3-PIN TO-263
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SPB100N03S2L03T|Infineon TechnologiesSPB100N03S2L03T
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Infineon Technologies - SPB100N03S2L-03 - MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2

型号：SPB100N03S2L-03
仓库库存编号：SPB100N03S2L-INTR-ND
别名：SPB100N03S2L-INTR
含铅

Infineon Technologies - SPB100N03S2L-03 G - MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2

型号：SPB100N03S2L-03 G
仓库库存编号：SPB100N03S2L-03 G-ND
别名：SP000200141
SPB100N03S2L03GXT
无铅

Infineon Technologies - SPB100N03S2L03T - MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2

型号：SPB100N03S2L03T
仓库库存编号：SPB100N03S2L03T-ND
别名：SP000013460
无铅
SPB100N03S2L-03|Infineon Technologies
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SPB100N03S2L-03
制造商型号： SPB100N03S2L-03
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
详细参数
标准包装 ： 1
系列 ： OptiMOS™
FET 型 ： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 ： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) ： 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： 100A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： 2.7毫欧 @ 80A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） ： 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs ： 220nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： 8180pF @ 25V
功率 - 最大 ： 300W
安装类型 ： 表面贴装
封装/外壳 ： TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
供应商设备封装 ： P-TO263-3
包装 ： 剪切带 (CT)

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