| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SN7002N E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | SN7002N E6433 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 200mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3 型号：SN7002N E6433 仓库库存编号：SN7002N E6433-ND 别名：SN7002NE6433XT <br>SP000014635 <br> | 无铅 | 搜索 |
PDF查询| 标准包装 ： | 10,000 |
| 系列 ： | SIPMOS® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 5 欧姆 @ 500mA, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 1.8V @ 26µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 1.5nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 45pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 360mW |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 ： | PG-SOT23-3 |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
