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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Vishay Siliconix - SIS892DN-T1-GE3 - MOSFET N-CH 100V 1212-8 PPAK
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50个仓库,1500万条库存数据任选
  美国1号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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货期
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操作
SIS892DN-T1-GE3
库存编号:SIS892DN-T1-GE3DKR-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-89036
1起订
1+
10+
100+
500+
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¥17.03
¥26.66
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SIS892DN-T1-GE3
库存编号:SIS892DN-T1-GE3CT-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-89036
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¥17.03
¥26.66
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SIS892DN-T1-GE3
库存编号:SIS892DN-T1-GE3TR-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-86000
3000起订
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  美国2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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货期
(工作日)
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SIS892DN-T1-GE3
库存编号:78-SIS892DN-T1-GE3
Vishay Intertechnologies MOSFETs 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V319
1起订
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3000+
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
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SIS892DN-T1-GE3
库存编号:SIS892DN-T1-GE3
Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SIS892DN-T1-GE3)0
3000起订
3000+
6000+
12000+
18000+
24000+
¥7.9
¥7.75
¥7.63
¥7.52
¥7.4
1-2周询价 询价
  日本2号仓库+5    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
SIS892DN-T1-GE3
库存编号:84397734
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R3000
3000起订
3000+
¥12.96
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SIS892DN-T1-GE3
库存编号:73578917
Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R2334
10起订
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25+
100+
250+
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1000+
¥12.04
¥11.98
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  英国7号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
SIS892DN-T1-GE3
库存编号:SIS892DN-T1-GE3
Vishay Intertechnologies Transistor: N-MOSFET, TrenchFET?, unipolar, 100V, 27A, Idm: 50A, 43W0
1起订
1+
10+
100+
250+
500+
1000+
¥18.77
¥15.7
¥12.47
¥11.3
¥10.41
¥9.71
1-3周询价 询价
参考价格及参考库存
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型号 制造商 描述 操作
SIS892DN-T1-GE3
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SIS892DN-T1-GE3
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SIS892DN-T1-GE3
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
SIS892DN-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SIS892DN-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SIS892DN-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SIS892DN-T1-GE3)

RoHS: Compliant

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SIS892DN-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

RoHS: Compliant

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SIS892DN-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SIS892DN-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET,N CH,DIODE,100V,30A,PPAK12128

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SIS892DN-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET, N CHANNEL, 100V, 30A, POWERPAK 1

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  英国2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SIS892DN-T1-GE3
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Vishay Siliconix

100V 30A 43W 29 mohms @ 10V

RoHS: Compliant

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  美国6号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SIS892DN-T1-GE3.
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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SIS892DN-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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  自家仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 库存 起订量 单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
SIS892DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 1212-8 PPAK 查看库存、价格及货期
  英国2号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

Siliconix / Vishay - SIS892DN-T1-GE3 - 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V|70459593 | ChuangWei Electronics
Siliconix / Vishay
100V 30A 43W 29 mohms @ 10V


型号:SIS892DN-T1-GE3
仓库库存编号:70459593

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  新加坡2号仓库    查看更多相关产品
制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
SIS892DN-T1-GE3
VISHAY SIS892DN-T1-GE3
1859009

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 100 V, 0.024 ohm, 10 V, 1.2 V

(EN)
搜索
SIS892DN-T1-GE3
VISHAY SIS892DN-T1-GE3
2083727

VISHAY

场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 30A, POWERPAK 1212-8

(EN)
搜索
  美国1号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

Vishay Siliconix - SIS892DN-T1-GE3 - MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8

型号:SIS892DN-T1-GE3
仓库库存编号:SIS892DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS892DN-T1-GE3CT <br>

无铅
搜索
  www.szcwdz.cn    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
SIS892DN-T1-GE3|Vishay SiliconixSIS892DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1212-8 PPAK
Rohs

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  www.szcwdz.com    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
SIS892DN-T1-GE3|VISHAY SILICONIXSIS892DN-T1-GE3
VISHAY SILICONIX
MOSFET N-CH 100V 1212-8 PPAK
Rohs

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  www.szcwdz.com.cn    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
SIS892DN-T1-GE3|Vishay SiliconixSIS892DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1212-8 PPAK
Rohs

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SIS892DN-T1-GE3|Vishay Siliconix
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SIS892DN-T1-GE3
制造商型号: SIS892DN-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET N-CH 100V 1212-8 PPAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
标准包装 : 1
系列 : TrenchFET®
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 29 毫欧 @ 10A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) : 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 30A
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 21.5nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 611pF @ 50V
功率 - 最大 : 52W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : PowerPAK® 1212-8
供应商设备封装 : PowerPAK® 1212-8
包装 : 剪切带 (CT)

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