型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SIS892DN-T1-GE3 库存编号:SIS892DN-T1-GE3DKR-ND | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8 | 9036 1起订 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ | ¥26.66 ¥17.03 ¥26.66 ¥9.2 ¥8.44 | 6-10天 | 购买 查看资料 |
SIS892DN-T1-GE3 库存编号:SIS892DN-T1-GE3CT-ND | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8 | 9036 1起订 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ | ¥26.66 ¥17.03 ¥26.66 ¥9.2 ¥8.44 | 6-10天 | 购买 查看资料 |
SIS892DN-T1-GE3 库存编号:SIS892DN-T1-GE3TR-ND | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8 | 6000 3000起订 | 3000+ 6000+ | ¥7.48 ¥7.32 | 6-10天 | 购买 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SIS892DN-T1-GE3 库存编号:78-SIS892DN-T1-GE3 | Vishay Intertechnologies | MOSFETs 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V | 319 1起订 | 1+ 10+ 100+ 250+ 500+ 1000+ 3000+ | ¥25.3 ¥16.2 ¥11.29 ¥11.28 ¥9.32 ¥7.97 ¥7.18 | 6-10天 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SIS892DN-T1-GE3 库存编号:SIS892DN-T1-GE3 | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SIS892DN-T1-GE3) | 0 3000起订 | 3000+ 6000+ 12000+ 18000+ 24000+ | ¥7.9 ¥7.75 ¥7.63 ¥7.52 ¥7.4 | 1-2周 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SIS892DN-T1-GE3 库存编号:84397734 | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | 3000 3000起订 | 3000+ | ¥12.96 | 1-2周 | 购买 |
SIS892DN-T1-GE3 库存编号:73578917 | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | 2334 10起订 | 10+ 25+ 100+ 250+ 500+ 1000+ | ¥12.04 ¥11.98 ¥9.75 ¥9.69 ¥8.41 ¥7.92 | 1-2周 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SIS892DN-T1-GE3 库存编号:SIS892DN-T1-GE3 | Vishay Intertechnologies | Transistor: N-MOSFET, TrenchFET?, unipolar, 100V, 27A, Idm: 50A, 43W | 0 1起订 | 1+ 10+ 100+ 250+ 500+ 1000+ | ¥18.77 ¥15.7 ¥12.47 ¥11.3 ¥10.41 ¥9.71 | 1-3周 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SIS892DN-T1-GE3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
SIS892DN-T1-GE3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
SIS892DN-T1-GE3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SIS892DN-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SIS892DN-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SIS892DN-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SIS892DN-T1-GE3) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SIS892DN-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
SIS892DN-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SIS892DN-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET,N CH,DIODE,100V,30A,PPAK12128
| 搜索 |
SIS892DN-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET, N CHANNEL, 100V, 30A, POWERPAK 1
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SIS892DN-T1-GE3 [更多] | Vishay Siliconix | 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SIS892DN-T1-GE3. [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free | 搜索 |
SIS892DN-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SIS892DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1212-8 PPAK | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Siliconix / Vishay 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V 型号:SIS892DN-T1-GE3 仓库库存编号:70459593 | ![]() | 搜索 |
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![]() | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8 型号:SIS892DN-T1-GE3 仓库库存编号:SIS892DN-T1-GE3CT-ND 别名:SIS892DN-T1-GE3CT <br> | 无铅 | 搜索 |
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标准包装 : | 1 |
系列 : | TrenchFET® |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 标准型 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 29 毫欧 @ 10A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) : | 100V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 30A |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 21.5nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 611pF @ 50V |
功率 - 最大 : | 52W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | PowerPAK® 1212-8 |
供应商设备封装 : | PowerPAK® 1212-8 |
包装 : | 剪切带 (CT) |