| 型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SIS456DN-T1-GE3 库存编号:SIS456DN-T1-GE3TR-ND | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8 | 0 起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 | ||
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| SIS456DN-T1-GE3 库存编号:SIS456DN-T1-GE3DKR-ND | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8 | 0 1起订 | 1+ | ￥12.09 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SIS456DN-T1-GE3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SIS456DN-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET RoHS: Compliant | 搜索 |
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| SIS456DN-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Unidentified
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| SIS456DN-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R - Tape and Reel (Alt: SIS456DN-T1-GE3) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| SIS456DN-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
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| SIS456DN-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free | 搜索 |
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| SIS456DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | SIS456DN-T1-GE3 VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8 详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8 型号：SIS456DN-T1-GE3 仓库库存编号：SIS456DN-T1-GE3CT-ND 别名：SIS456DN-T1-GE3CT <br> | | 搜索 |
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PDF查询| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | TrenchFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 5.1 毫欧 @ 20A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 35A |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 55nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 1800pF @ 15V |
| 功率 - 最大 ： | 52W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | PowerPAK® 1212-8 |
| 供应商设备封装 ： | PowerPAK® 1212-8 |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
