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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Vishay Siliconix - SIHB22N60E-E3 - MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
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SIHB22N60E-E3|Vishay Siliconix
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SIHB22N60E-E3
制造商型号: SIHB22N60E-E3
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 1,000
系列 : -
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 180 毫欧 @ 11A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) : 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 21A
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 86nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 1920pF @ 100V
功率 - 最大 : 227W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
供应商设备封装 : D²PAK
包装 : 管件

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: SIHB22N60E-E3
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