产品目录绘图 : | DB-T1-E1 Series 4-MFP |
特色产品 : | MOSFETs Designed for On-Resistance Ratings at 1.2 V |
标准包装 : | 1 |
系列 : | TrenchFET® |
FET 型 : | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 35 毫欧 @ 1A, 4.5V |
漏极至源极电压(Vdss) : | 8V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 11.7A |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 800mV @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 26nC @ 5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 1640pF @ 4V |
功率 - 最大 : | 6.25W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 4-XFBGA, CSPBGA |
供应商设备封装 : | 4-Microfoot |
包装 : | 剪切带 (CT) |