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SI7960DP-T1-E3|Vishay Siliconix
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SI7960DP-T1-E3
制造商型号: SI7960DP-T1-E3
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOIC
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
产品目录绘图 : 8-SOIC Mosfet Package
标准包装 : 1
系列 : TrenchFET®
FET 型 : 2 个 N 沟道(双)
FET 特点 : 逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 21 毫欧 @ 9.7A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) : 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 6.2A
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 75nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : -
功率 - 最大 : 1.4W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : PowerPAK® SO-8
供应商设备封装 : PowerPAK® SO-8
包装 : 剪切带 (CT)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: SI7960DP-T1-E3
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