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SI7925DN-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 12V 6.5A 2.5W 42mohm @ 4.5V RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SI7925DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL P-CH D-S 12V 1212-8 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8 详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual 型号:SI7925DN-T1-GE3 仓库库存编号:SI7925DN-T1-GE3-ND | 无铅 | 搜索 |
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标准包装 : | 3,000 |
系列 : | TrenchFET® |
FET 型 : | 2 个 P 沟道(双) |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 12V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 4.8A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 42 毫欧 @ 6.5A, 4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 12nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | - |
功率 - 最大 : | 1.3W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | PowerPAK® 1212-8 双 |
供应商设备封装 : | PowerPAK® 1212-8 Dual |
包装 : | 带卷 (TR) |