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分离式半导体 - MOSFETs - 阵列 - Vishay Siliconix - SI7925DN-T1-GE3 - MOSFET DUAL P-CH D-S 12V 1212-8
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SI7925DN-T1-GE3
库存编号:SI7925DN-T1-GE3-ND
Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 12V 4.8A PPAK 12120
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SI7925DN-T1-GE3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 12V 6.5A 2.5W 42mohm @ 4.5V

RoHS: Compliant

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SI7925DN-T1-GE3|VISHAY SILICONIXSI7925DN-T1-GE3
VISHAY SILICONIX
MOSFET DUAL P-CH D-S 12V 1212-8
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Vishay Siliconix
MOSFET DUAL P-CH D-S 12V 1212-8
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Vishay Siliconix - SI7925DN-T1-GE3 - MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8

详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual

型号:SI7925DN-T1-GE3
仓库库存编号:SI7925DN-T1-GE3-ND

无铅
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SI7925DN-T1-GE3|Vishay SiliconixSI7925DN-T1-GE3
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SI7925DN-T1-GE3|Vishay Siliconix
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SI7925DN-T1-GE3
制造商型号: SI7925DN-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET DUAL P-CH D-S 12V 1212-8
技术参考: Rohs PDF查询
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订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
标准包装 : 3,000
系列 : TrenchFET®
FET 型 : 2 个 P 沟道(双)
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 4.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 42 毫欧 @ 6.5A, 4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 12nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : -
功率 - 最大 : 1.3W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : PowerPAK® 1212-8 双
供应商设备封装 : PowerPAK® 1212-8 Dual
包装 : 带卷 (TR)

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