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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Vishay Siliconix - SI7856ADP-T1-GE3 - MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
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SI7856ADP-T1-GE3|Vishay Siliconix
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SI7856ADP-T1-GE3
制造商型号: SI7856ADP-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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详细参数
标准包装 : 3,000
系列 : TrenchFET®
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 15A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 3.7 毫欧 @ 25A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 55nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : -
功率 - 最大 : 1.9W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : PowerPAK® SO-8
供应商设备封装 : PowerPAK® SO-8
包装 : 带卷 (TR)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: SI7856ADP-T1-GE3
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