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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Vishay Siliconix - SI7601DN-T1-E3 - MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
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SI7601DN-T1-E3|Vishay Siliconix
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SI7601DN-T1-E3
制造商型号: SI7601DN-T1-E3
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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详细参数
标准包装 : 3,000
系列 : TrenchFET®
FET 型 : MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
漏极至源极电压(Vdss) : 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 16A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 19.2 毫欧 @ 11A, 4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 1.6V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 27nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 1870pF @ 10V
功率 - 最大 : 52W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : PowerPAK® 1212-8
供应商设备封装 : PowerPAK® 1212-8
包装 : 带卷 (TR)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: SI7601DN-T1-E3
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