标准包装 : | 1 |
系列 : | TrenchFET® |
FET 型 : | 2 个 P 沟道(双) |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 31 毫欧 @ 4.7A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) : | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 3.6A |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 20nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | - |
功率 - 最大 : | 830mW |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 宽) |
供应商设备封装 : | 8-TSSOP |
包装 : | 剪切带 (CT) |