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分离式半导体 - MOSFETs - 阵列 - Vishay Siliconix - SI6969DQ-T1-GE3 - MOSFET P-CH DUAL G-S 12V 8TSSOP
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SI6969DQ-T1-GE3|Vishay Siliconix
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SI6969DQ-T1-GE3
制造商型号: SI6969DQ-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET P-CH DUAL G-S 12V 8TSSOP
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
标准包装 : 3,000
系列 : TrenchFET®
FET 型 : 2 个 P 沟道(双)
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : -
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 34 毫欧 @ 4.6A, 4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 450mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 40nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : -
功率 - 最大 : -
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 宽)
供应商设备封装 : 8-TSSOP
包装 : 带卷 (TR)

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: SI6969DQ-T1-GE3
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