产品目录绘图 : | DU, DP-T1-E3 8-PowerPAK, P-PAK |
标准包装 : | 1 |
系列 : | TrenchFET® |
FET 型 : | N 和 P 沟道 |
FET 特点 : | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 7.2A, 4.6A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 39 毫欧 @ 4.4A, 4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 16nC @ 8V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 520pF @ 10V |
功率 - 最大 : | 2.3W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | PowerPAK® CHIPFET™ 双 |
供应商设备封装 : | PowerPAK® ChipFet 双 |
包装 : | 剪切带 (CT) |