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分离式半导体 - MOSFET - 单 - Vishay Siliconix - SI4686DY-T1-E3 - MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
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50个仓库,1500万条库存数据任选
  美国1号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
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SI4686DY-T1-E3
库存编号:SI4686DY-T1-E3CT-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO5463
1起订
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10+
100+
500+
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SI4686DY-T1-E3
库存编号:SI4686DY-T1-E3DKR-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO5463
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SI4686DY-T1-E3
库存编号:SI4686DY-T1-E3TR-ND
Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO2500
2500起订
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  美国2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
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SI4686DY-T1-E3
库存编号:781-SI4686DY-T1-E3
Vishay Intertechnologies MOSFETs 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V4855
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250+
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2500+
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
SI4686DY-T1-E3
库存编号:SI4686DY-T1-E3
Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N-CH 30V 13.8A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4686DY-T1-E3)0
2500起订
2500+
5000+
10000+
15000+
20000+
¥7.24
¥7.12
¥7.01
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¥6.81
1-2周询价 询价
  美国6号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
SI4686DY-T1-E3
库存编号:SI4686DY-T1-E3
Vishay Intertechnologies MOSFETs 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V0
2500起订
2500+
5000+
10000+
¥7.89
¥7.7
¥7.55
1-3周询价 询价
  英国7号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
SI4686DY-T1-E3
库存编号:SI4686DY-T1-E3
Vishay Intertechnologies Transistor: N-MOSFET, unipolar, 30V, 14.5A, 3.3W, SO81229
1起订
1+
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25+
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  英国8号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
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(含税)
货期
(工作日)
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SI4686DY-T1-E3 Vishay Intertechnologies SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 13.8A I(D), 30V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET284
1起订
1+
14+
64+
¥34.61
¥17.31
¥10.39
1-3周购买 购买
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参考价格及参考库存
  美国1号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SI4686DY-T1-E3
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SI4686DY-T1-E3
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SI4686DY-T1-E3
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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
SI4686DY-T1-E3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SI4686DY-T1-E3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 13.8A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SI4686DY-T1-E3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 13.8A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4686DY-T1-E3)

RoHS: Compliant

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SI4686DY-T1-E3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 13.8A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4686DY-T1-E3)

RoHS: Compliant

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  日本2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SI4686DY-T1-E3
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 13.8A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant

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  新加坡2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SI4686DY-T1-E3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET, N CH, 30V, 18.2A, SOIC

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型号 制造商 描述 操作
SI4686DY-T1-E3
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Vishay Intertechnologies

Single N-Channel 30 V 9.5 mOhms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
SI4686DY-T1-E3
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V

pbFree: Pb-Free

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  自家仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 库存 起订量 单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
SI4686DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC 查看库存、价格及货期
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SI4686DY-T1-E3|VISHAYSI4686DY-T1-E3
VISHAY
单 N沟道 30 V 9.5 mOhms 表面贴装 功率Mosfet - SOIC-8
Rohs

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SI4686DY-T1-E3|Vishay SiliconixSI4686DY-T1-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
Rohs

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SI4686DY-T1-E3|VISHAYSI4686DY-T1-E3
VISHAY
单 N沟道 30 V 9.5 mOhms 表面贴装 功率Mosfet - SOIC-8
Rohs

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SI4686DY-T1-E3|Vishay SiliconixSI4686DY-T1-E3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
Rohs

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Vishay Siliconix - SI4686DY-T1-E3 - MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC

详细描述:表面贴装 N 沟道 18.2A(Tc) 3W(Ta),5.2W(Tc) 8-SO

型号:SI4686DY-T1-E3
仓库库存编号:SI4686DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4686DY-T1-E3CT <br>

无铅
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
SI4686DY-T1-E3
VISHAY SI4686DY-T1-E3
2335317

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 18.2 A, 30 V, 0.0078 ohm, 10 V, 3 V

(EN)
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SI4686DY-T1-E3|Vishay Siliconix
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SI4686DY-T1-E3
制造商型号: SI4686DY-T1-E3
制造商: Vishay Siliconix
描述: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
详细参数
产品目录绘图 : DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
标准包装 : 1
系列 : TrenchFET®
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 9.5 毫欧 @ 13.8A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 18.2A
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 26nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 1220pF @ 15V
功率 - 最大 : 5.2W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽)
供应商设备封装 : 8-SOICN
包装 : 剪切带 (CT)

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