型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SI4686DY-T1-E3 库存编号:SI4686DY-T1-E3CT-ND | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO | 5463 1起订 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ | ¥20.56 ¥14.37 ¥10.82 ¥9.03 ¥8.29 | 6-10天 | 购买 查看资料 |
SI4686DY-T1-E3 库存编号:SI4686DY-T1-E3DKR-ND | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO | 5463 1起订 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ | ¥20.56 ¥14.37 ¥10.82 ¥9.03 ¥8.29 | 6-10天 | 购买 查看资料 |
SI4686DY-T1-E3 库存编号:SI4686DY-T1-E3TR-ND | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO | 2500 2500起订 | 2500+ 5000+ | ¥7.43 ¥7.01 | 6-10天 | 购买 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SI4686DY-T1-E3 库存编号:781-SI4686DY-T1-E3 | Vishay Intertechnologies | MOSFETs 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V | 4855 1起订 | 1+ 10+ 100+ 250+ 500+ 1000+ 2500+ 5000+ | ¥19.15 ¥14.54 ¥10.65 ¥10.64 ¥8.57 ¥7.79 ¥6.91 ¥6.65 | 6-10天 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SI4686DY-T1-E3 库存编号:SI4686DY-T1-E3 | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13.8A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4686DY-T1-E3) | 0 2500起订 | 2500+ 5000+ 10000+ 15000+ 20000+ | ¥7.24 ¥7.12 ¥7.01 ¥6.89 ¥6.81 | 1-2周 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SI4686DY-T1-E3 库存编号:SI4686DY-T1-E3 | Vishay Intertechnologies | MOSFETs 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V | 0 2500起订 | 2500+ 5000+ 10000+ | ¥7.89 ¥7.7 ¥7.55 | 1-3周 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SI4686DY-T1-E3 库存编号:SI4686DY-T1-E3 | Vishay Intertechnologies | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 30V, 14.5A, 3.3W, SO8 | 1229 1起订 | 1+ 5+ 25+ 100+ 500+ | ¥12.47 ¥7.62 ¥6.61 ¥6.02 ¥5.58 | 1-3周 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SI4686DY-T1-E3 | Vishay Intertechnologies | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 13.8A I(D), 30V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET | 284 1起订 | 1+ 14+ 64+ | ¥34.61 ¥17.31 ¥10.39 | 1-3周 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SI4686DY-T1-E3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
SI4686DY-T1-E3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
SI4686DY-T1-E3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SI4686DY-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SI4686DY-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13.8A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SI4686DY-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13.8A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4686DY-T1-E3) RoHS: Compliant | 搜索 |
SI4686DY-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13.8A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4686DY-T1-E3) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SI4686DY-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13.8A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SI4686DY-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET, N CH, 30V, 18.2A, SOIC
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SI4686DY-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | Single N-Channel 30 V 9.5 mOhms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SI4686DY-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V pbFree: Pb-Free | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SI4686DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | SI4686DY-T1-E3 VISHAY | 单 N沟道 30 V 9.5 mOhms 表面贴装 功率Mosfet - SOIC-8![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
![]() | SI4686DY-T1-E3 Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | SI4686DY-T1-E3 VISHAY | 单 N沟道 30 V 9.5 mOhms 表面贴装 功率Mosfet - SOIC-8![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
![]() | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC 详细描述:表面贴装 N 沟道 18.2A(Tc) 3W(Ta),5.2W(Tc) 8-SO 型号:SI4686DY-T1-E3 仓库库存编号:SI4686DY-T1-E3CT-ND 别名:SI4686DY-T1-E3CT <br> | 无铅 | 搜索 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
SI4686DY-T1-E3![]() | 2335317 | VISHAY 晶体管, MOSFET, N沟道, 18.2 A, 30 V, 0.0078 ohm, 10 V, 3 V ![]() | 搜索 |
产品目录绘图 : | DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
标准包装 : | 1 |
系列 : | TrenchFET® |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 标准型 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 9.5 毫欧 @ 13.8A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) : | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 18.2A |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 26nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 1220pF @ 15V |
功率 - 最大 : | 5.2W |
安装类型 : | 表面贴装 |
封装/外壳 : | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽) |
供应商设备封装 : | 8-SOICN |
包装 : | 剪切带 (CT) |