PDF查询| 产品目录绘图 ： | DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | TrenchFET® |
| FET 型 ： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 18 毫欧 @ 8.8A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 30V, 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 6.3A, 4.1A |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 1.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 20nC @ 5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | - |
| 功率 - 最大 ： | 1.3W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽) |
| 供应商设备封装 ： | 8-SOICN |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
